能上,绝对延后再延后,
甚至是芯片正在生产过程中,一旦芯片设计巨头下了生产订单,就马上下线,优先供应制造芯片设计巨头公司。
…
李飞这样确定,是因为cmos工艺已经非常成熟了,
在1963年cmos工艺已经出现,只不过早期的cmos器件性能也较差,但由于cmos器件的功耗极低,集成度也高,用以制造数字lsi和vlsi集成电路可很好地解决最迫切的功耗问题,
于是,在数字lsi和vlsi集成电路的制造中首先得到广泛应用,并得到快速发展,特别是自20世纪80年代以来,更成为等vlsi的主导制造工艺,在电脑芯片工艺应用上十分广泛。
由于cmos工艺具有电流小,抗干扰能力强,集成度高等一系列的优点,
各大芯片设计巨头公司开始在模拟芯片电路进行cmos工艺研究设计…,
而李飞利用重生前的芯片技术积累,用芯片,可以说在fm芯片市场上是非常先进的芯片工艺技术了!
那么,如果fm芯片使用双极ttl晶体管工艺,在市场上没有优势了!最重要的是fm芯片后续应用于汽车和手机,可能就没有技术优势了,因为汽车和手机的电磁干扰非常大,
于是,李飞亲自打电话给台极电专业负责客服工程电话,客气地说道:“你好,我是大深市芯片产业的工程师李飞,关于贵司的邮件告知我司的芯片流片还需要延迟,到底是什么原因?”
对方态度不友善地说道:“哦,你fm芯片工艺要求是芯片主流可是双极ttl,”
(注:在it科技公司客服工程师是懂技术的,因为有的是研发工程师转岗客服工程师。)
李飞压住心中怒气,冷静道:“现在芯片工艺主流是s…,”
没等李飞把话说完,对方打断了,并轻蔑地说:“你们内地人不懂,芯片是高科技产品,和你说不清,简单地说,你的fm芯片采用cmos工艺,是比较复杂,在芯片制造上工序比较多,所以,芯片流片时间需要延缓…”
李飞乐呵一笑,在本人面前谈论芯片制造工艺,你还嫩了一点,重生前,本人在英特尔是副总裁,负责英特尔的芯片设计和芯片制造,
同时,李飞从内心上,认为不必和这人一般见识,不必再继续说下去…,
但为了fm芯片早点量产,早点让fm芯片进入市场变现,李飞不得不展示芯片研发实力,给一点颜色看看,让对方知道什么是研发技术大神。但没有必要再客气了,就命令道:“你不要打断我说话!如我说得没有错的话,cmos工艺流程大概是这样的:
先是准备n型硅片,用以制造nmos和pmos晶体管。(注:os和nmos工艺基础上发展起来的)
再使用湿氧化方法,在硅片上生长设定厚度(如约微米)的二氧化硅层,作为制造p型区的掩蔽层。随后光刻p型区。
接着,光刻出nmos晶体管的p阱区和pmos晶体管的源、漏区后,使用氮化硼片作掺杂源进行硼预淀积。
在淀积硼以后,进行杂质推进扩散,形成nmos晶体管的p阱,在推进扩散的同时,也进行干氧化,接着进行湿氧化预定时间(如20分钟),该二氧化硅层作为光刻n型区的掩蔽层。
如光刻出n型掺杂区,然后进行磷掺杂扩散,形成nmos晶体管的源、漏区;
在磷扩散以后,进行湿氧化预定时间(如20分钟),该二氧化硅层用以制造nmos和pmos栅氧化区的的掩蔽层;
光刻出nmos和pmos晶体管的栅区,然后使用干氧化方法,生成设定厚度的栅二氧化硅层(如500纳米制程),”
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