m芯片,再到1999年,研发出手机芯片,就越来意识到芯片制程是非常重要…,
希望目前芯片制程能力,做到65纳米,45nm,甚至是28nm以下…。
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众所周知,要想提高芯片制程的能力,光刻技术就特别重要了,就需要每年把光刻机的曝光关键尺寸(cd)降低30%-50%。根据公式:a),降低波长λ,提高镜头的数值孔径na,降低综合因素k1。
以目前的光刻机技术,直接降低波长λ,是最直接的办法,为了降低光源的波长,全球光刻机厂商都投入巨资,研发下一代光刻机光源技术,
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根据目前全球的光刻机技术,其中,尼康投入巨资研发出波长更低的157nmf2准分子激光做为光源,但是,被现有193nm机器用的镜片吸收,造成分辨率等问题,并且,光刻胶也要重新研制,所以改造难度极大,而对193nm的波长进步只有不到25%,研发投入产出之间的比例,是非常之低…
可以说,变动时非常大的。基本从目前193nm光刻技术上推倒重来。
还有就是,由米国组织的euv联盟,而这个联盟是由英特尔,amd,摩托罗拉,asml,英飞凌等企业组成,正在验证了euv光刻机的可行性…。
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相对以上的两种光刻机技术方案,都不是最优的,特别是euv联盟,所主导的euv光刻机方案,以目前的技术是非常难以实现,并且,是需要巨额的资金,没有一家公司能承受…。
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那么,以目前的光刻技术193nmarf光源的干法光刻机,作出简单的更改,就能把光源波长降低,
降低光源的波长,可以在镜头与晶圆曝光区域之间的介质从空气换成水,由于水的折射率大约为,那么波长可缩短为=132nm,大大超过攻而不克的157nm,完全可以实现45nm,甚至是28nm以下制程。
其工作原理就是:利用光通过水介质后光源波长缩短来提高分辨率,而浸没式光刻机采用折射和反射相结合的光路设计。这种设计可以减少投影系统光学元件的数目,控制像差和热效应,实现光刻技术…
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根据以上的数据,浸入式光刻机,可以说属于轻微地改进,能产生巨大的经济效应,其光刻机的产品成熟度是非常高的,
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不过,顺便说一下,由米国组织euvllc联盟,是在2003年,这个euvllc联盟解散,也就是说,这个联盟只是存在了6年。
当时尼康光刻机是没有进入euv联盟,米国认为这是米国的高科技,怎么能分兴给外国企业…。
具体原因还是当时米国半导体,甚至是光刻机svg公司、被曰本公司,尼康公司打得落花流
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